在全球“雙碳”背景下，新能源產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，電動車、充電樁、光伏等市場對IGBT功率半導(dǎo)體芯片和模塊的需求迎來爆發(fā)式增長。

IGBT是指絕緣柵雙極型晶體管芯片，是目前大功率開關(guān)元器件中最為成熟也是應(yīng)用最為廣泛的功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低，是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，被稱為“電子電力裝置的心臟”，發(fā)展?jié)摿薮蟆?

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上，它具有輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。

IGBT的發(fā)展趨勢是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本。特別是高壓變頻器的開發(fā)和應(yīng)用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化調(diào)試工作等，都與IGBT有密切的內(nèi)在聯(lián)系。

在IGBT產(chǎn)業(yè)中，車規(guī)級芯片和模塊的安全性和穩(wěn)定性要求更高、研發(fā)周期長、技術(shù)門檻高、資金投入大，因此，發(fā)展車規(guī)級芯片和模塊面臨的挑戰(zhàn)也更多。

IGBT模塊的封裝具有較大難度，其痛點(diǎn)主要在于封裝效率低、良品率低，究其原因，則主要在于封裝設(shè)備的自動化程度不高、封裝過程中器件容易出現(xiàn)氧化、溫度均勻性和潔凈度難以有效控制，導(dǎo)致封裝模塊出品一致性降低，成本居高不下。

針對以上痛點(diǎn)，浩寶技術(shù)團(tuán)隊研發(fā)出一款專門用于IGBT模塊封裝的垂直固化爐，可全自動生產(chǎn)，避免器件氧化，均溫性好，潔凈度高，為IGBT功率半導(dǎo)體封裝制造企業(yè)帶來高效率、高良品率的解決方案。

據(jù)介紹，浩寶這款I(lǐng)GBT模塊封裝垂直固化爐的核心技術(shù)優(yōu)勢和特點(diǎn)如下：

一、全自動生產(chǎn)和管理，大幅減少人工。

設(shè)備采用模塊化結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了上下料、烘烤、冷卻、緩存等全自動、在線式生產(chǎn)，生產(chǎn)效率高，產(chǎn)能可根據(jù)客戶需求進(jìn)行增減、調(diào)整。它避免了傳統(tǒng)封裝工藝的多項(xiàng)弊病，比如傳統(tǒng)烘烤固化設(shè)備需要人工手動操作，工作量大、效率低，固化品質(zhì)不一致，高溫容易造成人員被燙傷等問題。

該設(shè)備還可對接MES系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)工業(yè)4.0，對設(shè)備進(jìn)行遠(yuǎn)程監(jiān)控和智能管理。

二、低殘氧量，避免器件氧化

設(shè)備采用獨(dú)特結(jié)構(gòu)設(shè)計，已申請發(fā)明專利，可保證在傳輸、加熱、冷卻和緩存過程中殘氧量控制在1000PPM以內(nèi)，有效避免金屬等熱敏性器件的氧化。

三、高潔凈度，滿足無塵化生產(chǎn)要求

設(shè)備密閉性好，并采用高效過濾和清潔系統(tǒng)，使得封裝過程達(dá)到千級潔凈度，滿足無塵化生產(chǎn)要求。

四、高均溫性，出品一致性好

設(shè)備采用優(yōu)秀的加熱、溫控模塊及獨(dú)特的風(fēng)道、腔體設(shè)計，可確保高的加熱效率和溫度均勻、穩(wěn)定，使得烘烤、固化均勻，出品一致性高。

浩寶研發(fā)成功的這款I(lǐng)GBT模塊全自動垂直固化爐，突破多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)，價格僅為國外進(jìn)口設(shè)備的三分之一，為功率半導(dǎo)體廠商提供更具性價比的封裝固化設(shè)備及解決方案，是IGBT制造、封裝廠商們難得的福音。